伴随着全球能源转型的加速，以碳化硅（SiC）为核心的第三代半导体产业迎来了新的发展机遇。

  近日，记者从中国电科获悉，中国电科产业基础研究院近年来持续深耕第三代半导体创新赛道，全力推进碳化硅产品技术攻关、产能扩容与产业化落地，打通从核心器件研发到多场景规模化应用的完整产业体系，在技术突破、产业提质、算电协同应用等领域取得系列成果，为我国新能源汽车、新型储能、工业电源、新型电力系统等重点领域建设提供关键半导体器件支撑。

  当前，功率半导体已历经多代技术演进，第一代以硅基材料为主，技术成熟、应用广泛，但耐压低、损耗大、高温性能有限；第二代以砷化镓为代表，多用于射频通信领域；以碳化硅为核心的第三代半导体，具备高耐压、低损耗、耐高温、高频性能优异等突出优势，完美适配新能源、新型电网、算力基建等高端场景刚需，是当前功率半导体产业升级的核心方向。

  作为我国半导体产业重要发源地，中国电科产业基础研究院持续推动功率半导体产业迭代升级，实现从传统硅基功率器件向碳化硅第三代半导体的跨越式转型。

  据介绍，该院已实现碳化硅产品规模化产业化发展，突破一系列关键核心技术，摆脱外部技术制约，筑牢产业自主发展根基。围绕新能源、工业、电网等多元化市场需求，该院搭建起品类完备、覆盖面广的碳化硅产品谱系，涵盖新能源汽车主驱模块、固态变压器与固态断路器专用模块、高频工业电源模块等核心产品，可适配全功率等级、多类复杂应用场景，形成布局完善、适配性强的产品矩阵。同时，该院聚焦不同场景工况差异需求，定向研发碳化硅MOSFET产品，优化器件环境适应性与核心性能，精准匹配车载、电网、高端工业装备等领域的差异化技术标准。

  依托持续技术创新，该院碳化硅MOSFET制造工艺已从第一代H1M迭代升级至H5M版本，产品核心竞争力、运行稳定性持续提升。在国内某车企兆瓦级储能超充重点项目中，该院1200V/18mΩ碳化硅MOSFET产品实现批量应用，作为核心第一供应商累计供货超百万颗，产品性能与可靠性获得市场充分认可。

  立足算电协同产业发展大势，中国电科产业基础研究院依托多产业协同优势，深化与算力、电力领域龙头企业双向合作，立足客户实际工况定制开发核心器件，为算力电源、储能变流器、固态变压器等装备筑牢硬件底座。该院打破单一产品供货模式，深度参与终端产品定义与技术研发，联合行业用户攻关新型电力装备，推动产业合作从器件供给向联合研发、方案共创深度升级，畅通算力与电力产业需求链路，助力“以电强算、以算促电”落地见效，赋能数字基础设施与新型能源体系深度融合。

  据介绍，“十五五”期间，中国电科产业基础研究院将持续做大做强碳化硅模块核心产业，持续迭代升级先进制造工艺，夯实成熟产品市场竞争力，重点开拓新能源、新型电网、算力基础设施等核心赛道。未来，该院将持续发挥科技创新优势，持续打磨碳化硅器件综合性能，稳固产业链自主可控根基，深耕战略性新兴产业领域，以硬核科创实力推动我国第三代半导体产业实现高水平科技自立自强。（记者宋雅娟）