8月26日，以“存力跃迁，AI破局”为主题的2026全球闪存峰会（Flash Memory World 2026）在武汉举行。大会由DOIT传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院、华中科技大学集成电路学院联合主办，汇聚院士专家及Solidigm、华为、慧荣科技、天翼云、紫光闪芯、联想凌拓、浪潮信息、中科曙光等存储全产业链企业代表，共探AI时代存储技术与产业的新一轮变革。

　　中国工程院院士、清华大学计算机系教授郑纬民表示，没有闪存技术的进步，就没有今天HPC和AI的蓬勃发展。他预计，未来五年全球闪存存储市场将迎来新一轮“跃迁式”发展，中国作为全球最大的闪存消费市场之一，必将在这场变革中扮演重要角色。

　　华中科技大学副校长冯丹教授在致辞中提出三点期许：聚力自主创新，共破核心技术瓶颈，夯实国产存储产业根基；深化产教融合，打通科研成果转化通道；坚持开放协同，构建全球闪存纵深生态。

　　DOIT传媒创始人兼CEO郑信武表示，存储正从传统数据载体升级为支撑AI全链路运转的数据基础设施，成为突破AI算力、数据流转和智能记忆瓶颈的关键力量。

　　AI正以不可逆转之势重塑全球存储产业格局，万亿参数模型训练、毫秒级推理响应、全域数据高效流转，使高性能存储从配套设施转变为AI落地的数据底座。如何构建“AI就绪”的存储系统，已成为企业数字化转型的核心命题。

　　华中科技大学集成电路学院院长、教授缪向水围绕三维相变存储器芯片作主题报告。他表示，DRAM和3D NAND分别面临工艺微缩、堆叠层数及性能提升等瓶颈，新型存储器成为突破“存储墙”的重要方向。相变存储器具备高速、低功耗、高擦写次数等特性，有望形成新的存储层级。

　　华中科技大学教授、计算机学院存储所所长王芳认为，大语言模型需要处理万亿级Token，数据供给难以跟上算力增长，形成“存储墙”。其团队从计算、数据访问和存储三个层面优化，在图嵌入、DNN训练和推荐模型等场景取得明显效果：FeLoG平均实现28.8倍性能提升，SpiderCache将缓存命中率最多提升8.5倍、训练速度最多提升2.33倍，TokaDB实现4至9倍性能提升。

　　杭州电子科技大学微电子研究院院长骆建军教授分享了月初全球存储产业峰会（FMS）的观察：今年亮点清晰聚焦“人工智能”，亚太力量加速崛起；国外存储大厂均已同时布局DRAM和Flash，国内长存、长鑫未来也必然走向融合。

　　当天下午，峰会开启四大并行论坛，围绕AI SSD创新应用、面向AI的存储系统、CXL互联生态与弹性内存池、新型存储器技术四大方向深入探讨。会上还发布了《2026 AI存储芯图》和《2026闪存风云榜》。（肖春芳）